項目 | 値 |
ID | ⇒#8@星座; |
要約 | 天秤⇒#8@星座; |
題名 | 【星座】天秤⇒#8@星座; |
項目 | 値 |
ID | ⇒#1@恒星; |
要約 | 【恒星】アナルケナル⇒#1@恒星; |
メソッド |   ·鷹山·アメニティ研 |
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学会発表 |
発表テーマ:インピーダンス測定法によるペースメーカ用リチウムヨウ素電池寿命評価法に関する研究
Study on longevity assessment of LiI batteries for cardiac pacemakers using the impedance measurement technique
Nishimata tatsuki (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University)
Shishido michiaki (Tsuruoka National College of Tecnology)
Tatibana kazuhiro (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University)
Nishina tatsuo (Graduate School of Science and Engineering, Yamagata University) Nishimata tatsuki, Shishido michiaki,Tachibana kazuhiro,Nishina tatsuo,Ishikawa norio,Kakemizu ryuji,Takano joji,Watanabe nao,Kurita yasuo,Hashiizume kenichi ,214th Meeting of ECS (2008). |
片状黒鉛鋳鉄の切削加工時における切削速度・刃具温度と被削性
切削加工時の刃具温度を熱電対にて測定し被削性との関係を考察するまた 切削速度-温度-被削性 の関係を考察する
かわしま⇒#418@卒論;
みえは、2009年に、それまでの研究を鋳鉄の凝固解析および組織観察による被削性評価というテーマで卒業論文としてまとめ、山形大学を卒業した⇒#412@卒論;。
【関連講義】仁科先生の工場見学ルポ,株式会社マツバラ⇒#2206@講義;
片状黒鉛鋳鉄の被削性に関する研究⇒#41@プロジェクト; 川島浩一,重野勝利,立花和宏,鈴木美恵 ,(社)日本鋳造工学会 第153回全国講演大会 (2008). |
1.片状黒鉛鋳鉄の被削性に対する格子間距離の影響
鋳鉄中約2%ほど含有されるSiはフェライト中に固溶し、シリコフェライトとして存在しています Fe原子より小さいSi原子は格子間距離を小さくし、転位線(格子の乱れ)の発生源となり得ます XPSによる酸素原子との反応性違いや、XRDによる格子間距離とSi原子の挙動と被削性との関係をまとめ発表したいと思います
かわしま⇒#418@卒論;みえ⇒#412@卒論;
片状黒鉛鋳鉄の被削性に対する片状黒鉛鋳鉄の被削性に対する
格子間距離の影響格子間距離の影響
㈱マツバラ㈱マツバラ○川島 浩一,重野 勝利
山形大学山形大学 立花 和宏 立花 和宏
山形大学(学) 山形大学(学) 鈴木美恵
鋳鉄中カーボンに次ぐ合金成分であり約2 鋳鉄中カーボンに次ぐ合金成分であり約2mass%以上存在するシリコンであるが,その被以上存在するシリコンであるが,その被削性に対する影響は多くは語られていない. 削性に対する影響は多くは語られていない.そこで, そこで,XRDによる格子間距離とシリコン原子による格子間距離とシリコン原子の ○川島浩一,重野勝利, 立花和宏,鈴木美恵 ,(社)日本鋳造工学会 第153回全国講演大会 (2008). |
炭素導電助材を含む電極におけるパーコレーション現象を用いたバインダの評価
炭素導電助材を含む電極におけるパーコレーション現象を用いたバインダの評価
(山形大学院理工)○柳沼雅章,立花和宏,遠藤孝志,仁科辰夫
やぎぬまは、2010年に、それまでの研究をリチウムイオン電池合材スラリーの最適化というテーマで修士論文としてまとめ、山形大学を卒業した⇒#399@卒論;。
Assessment of Binders by Applying Percolation Model in Carbon Conductive Additive Electrode
M. Yaginuma, K. Tachibana, T. Endo, T. Nishina
Graduate School of Science and Engineering Yamagata University, Johnan 4-3-16, Yonezawa, Yamagata 992-8510, Japan
A lithium ion secondary battery electrode consi ○柳沼雅章,立花和宏,遠藤孝志,仁科辰夫 ,第49回電池討論会 ,巻:49th 頁:117 (2008). |
第49回 電池討論会 講演申し込みフォーム
講演内容
講演題目
リチウムイオン二次電池のためのフーリエ解析による金、チタン、アルミニウム正極集電体/炭素導電材界面の内部抵抗比較
分野
9.リチウム電池(正極)
講演者氏名
○西川幸秀、立花和宏、仁科辰夫、遠藤孝志
講演者所属
山形大学院理工
講演要旨(200文字程度の講演要旨:プログラム編成用)
リチウムイオン二次電池の集電体として用いられているアルミニウムの表面には不働態皮膜が存在し、その不働態皮膜は正極合材中の活物質との接触抵抗を大きくし電池反応を阻害する。しかし、正極合材中に含まれる導電助材である炭素がその不働態化の欠陥部に接触することで、導電性が付与される。そこで、不働態皮膜が出来ない金やチタンではどのように導電性を確保するのかという疑問点がある。本研究では、集電体に金、チタン、アルミニウムを用い、その金属の違いが集電体と炭素合材の内部抵抗をフーリエ変換により算出し比較検討した。
○西川幸秀,…らは、2007年に東京工業大学大岡山キャンパスで開催された2007年電気化学秋季大会においてEDLCモデ 西川 幸秀, 立花 和宏, 仁科 辰夫, 遠藤 孝志 ,第49回電池討論会 (2008). |
山形大学の学術情報基盤センターでは、教育・研究用認証基盤として、Microsoft Active Directory (AD)を使用している。ドメイン構成としては、「運用ドメイン」、「試験運用ドメイン」の2つのドメインがある。本発表では、山形大学の複数認証基盤を統合し、UPKI認証連携基盤に対応した認証システムについて報告する⇒#2587@講義;⇒#1097@ノート;⇒#12@シボレスレビュー;。
○主なまとめ○
1.既存の認証基盤であるADを利用したShibboleth IdPシステムを構築。 ADを利用するときは、リフェラルの設定が必要な可能性が高い⇒#1086@ノート;。
2.複数認証基盤(AD)を統合して、IdPに認証基盤として利用可能なシステム。
3.SQLサーバよりShibboleth メタデータをダイナミックに生成するメタデータ管理システムを構築。
4.ユーザ名のフォーマットは、eduroamフォーマットを採用⇒#2627@講義;。
(eduroamとの混乱を避けるため)
5.eduroamフォーマットのユーザ名を使用したと 伊藤智博,吉田浩司,鈴木勝人,青木和恵 ,UPKIシンポジウム2009 (2009). |
リチウム電池/正極活物質/イオン液体/溶媒分子
イオン液体を使ったリチウム正極活物質(LiFePO4,LiMn2O4,LiCoO2)表面への溶媒分子吸着による活物質のインピーダンスの変化
(山形大学院理工)○渡邉貴太⇒#509@人名;,立花和宏, 仁科辰夫
The impedance changes of active material by solvent molecules adsorbed that the ionic liquid
for lithium cathode active material (LiFePO4, LiMn2O4, LiCoO2).
T. Watanabe, K. Tachibana, T. Nishina (Yamagata University of Science)
電池の高速充放電にはリチウムイオン濃度の局所的な低下が懸念される。電荷密度と溶媒効果を切り分けるため、リチウムイオンを含まないイオン液体を使ってその効果を検討した。オリビンは溶媒との親和性が非常に強いらしく独特の挙動を示す。
コバルト酸リチウム⇒#465 渡邉 貴太, 立花 和宏, 仁科 辰夫 ,電気化学会第76回大会 (2009). |
液晶/非イオン性不純物/電子吸引基/π共役系/漏れ電流
○楡木崇仁1,鹿又憲紀2, 藤田圭介2, 立花和宏1, 仁科辰夫1
川口正剛⇒#521@人名;
にれぎは、2010年に、それまでの研究を液晶材料を使ったリチウム電池用活物質・導電剤表面の評価というテーマで修士論文としてまとめ、山形大学を卒業した⇒#401@卒論;。
電気化学会第76回大会に申し込まれている
講演題目「共役系電子吸引基を有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係」のプログラム編成番号は
1E03 となりました。
液晶セル(ⅰ)~(ⅵ)の界面抵抗ρの測定結果をFig. 1(a)に示す。液晶セル(ⅰ)~(ⅲ)の界面抵抗ρは450Ωm2以上(at 0V)であったのに対し、液晶セル(ⅳ)は1.5Ωm2以下(at 0V)であった。液晶セル(ⅴ), (ⅵ)の界面抵抗ρの測定結果をFig. 1(b)に示す。液晶セル(ⅴ), (ⅵ)共に界面抵抗ρは1.1Ωm2以下(at 0V)であった。また液晶セル(ⅳ)~(ⅵ)のカソード側にのみ吸着物が見られたが、液晶セル(ⅰ)~ 楡木 崇仁, @鹿~, 藤田 圭介, 立花 和宏, 川口 正剛, 米竹 孝一郎, 仁科 辰夫 ,電気化学会第76回大会 (2009). |
学会… |
2025/04/20 21:40:37
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