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【学会】 熱処理したGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価
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ID⇒#152@学会;
要約【学会】大村高正,長…らは、2003年に米沢で開催された日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-13において熱処理したGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価について報告している⇒#152@学会;。
タイトル熱処理したGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価
講演番号
発表者大村高正,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一
会議名日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-13
場所米沢
会期2003/03/07
イベント(会議名&イベント名)
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外部J-GLOBAL
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管理者奥山 澄雄
研究グループ尾形・仁科研究室(旧応用化学C1講座)
PME形式大村高正,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,熱処理したGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価,日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-13,米沢, ,2003/03/07
書誌情報熱処理したGaAs基板表面の真空中接触角測定法による評価
大村高正,長沼博,奥山澄雄,奥山克郎,松下浩一,日本表面科学会東北支部講演会 (米沢, 2003.3) P-13講演要旨集 (2003).

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