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2015年10月10日 震災から復旧 米沢高等工業学校本館
【学会】 共役系電子吸引基を有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係
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ID⇒#240@学会;
要約【学会】○楡木崇仁,…らは、2009年に〒606-8501 京都市左京区吉田本町で開催された電気化学会第76回大会において共役系電子吸引基を有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係について報告している⇒#240@学会;。
タイトル共役系電子吸引基を有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係
講演番号
発表者楡木 崇仁@鹿~藤田 圭介立花 和宏川口 正剛米竹 孝一郎仁科 辰夫
会議名電気化学会第76回大会
場所〒606-8501 京都市左京区吉田本町
会期2009/03/29
イベント電気化学会第76回大会
URL
外部J-GLOBAL
対応URL
関連外部URLhttp://c1.yz.yam…
管理者立花 和宏
研究グループ仁科・立花研究室(旧応用化学C1講座)
PME形式○楡木崇仁,鹿又憲紀, 藤田圭介, 立花和宏,川口正剛,米竹孝一郎,仁科辰夫,共役系電子吸引基を有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係,電気化学会第76回大会,〒606-8501 京都市左京区吉田本町, ,2009/03/29
書誌情報共役系電子吸引基を有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係
○楡木崇仁,鹿又憲紀, 藤田圭介, 立花和宏,川口正剛,米竹孝一郎,仁科辰夫,電気化学会第76回大会講演要旨集 (2009).

液晶イオン性不純物電子吸引基π共役系漏れ電流

○楡木崇仁1鹿又憲紀2, 藤田圭介2, 立花和宏1, 仁科辰夫1

川口正剛1)

にれぎは2010年にそれまでの研究液晶材料使ったリチウム電池用活物質導電剤表面評価いうテーマ修士論文してまとめ山形大学卒業した2)

電気化学会第76回大会に申し込まれている
講演題目共役系電子吸引基有する非イオン性不純物による液晶材料の漏れ電流の増加と配向膜劣化の関係プログラム編成番号は

1E03 となりました

液晶セル()()界面抵抗ρの測定結果Fig. 1(a)に示す液晶セル()()界面抵抗ρは450Ωm2以上(at 0V)であったのに対し液晶セル()1.5Ωm2以下(at 0V)であった液晶セル(), ()界面抵抗ρの測定結果Fig. 1(b)に示す液晶セル(), ()共に界面抵抗ρは1.1Ωm2以下(at 0V)であったまた液晶セル()()カソード側にのみ吸着物が見られたが液晶セル()()に吸着物は見られなかったSEM画像より液晶セル()カソード側には直径50nmの粒子が様に分布していた
以上より共役系電子吸引基持つ非イオン性不純物がカソード側に吸着することで充電電荷減衰させる

Table 1 液晶セルの構成
番号 液晶材料 添加物   配向膜 添加率(wt%)
() ZLI-2293         
() ZLI-2293 H2O         1
() ZLI-2293 DME 9
() ZLI-2293 PC 9
()    PC         
() PC

Fig. 1 液晶セル()()オフセ電圧Voに対する界面抵抗ρの関係(a)()(), (b)(), (),(), ().

1) S. Ishihara, SHARP Technical Journal, 24, 11 (2005) [in Japanese]. 2) Y. Nakazono, T. Takagi, H. Ichinose, A. Sawada, S. Naemura, IEICE technical report. Electronic information displays, 97, 19 (1998) [in Japanese]. 3) N. Sasaki, K. Shiotani, 22th Liquid crystal symposium in japan , Abstr., 355 (1996) [in Japanese].4) H. Ohnishi, S. Shirokura, IEICE technical report. Electronic information displays, 95, 19 (1995) [in Japanese].

学会電気化学3)
低抵抗率計4)
界面抵抗5)

○藤田圭介,…らは2008年に戸工業大学青森県戸市大字妙字大開881で開催された平成20年度 化学系学協会東北大会において液晶ディスプレイ材料分子配向及ぼす極性溶媒の添加効果について報告している6)



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