⇒#31@装置;| 取扱 | 正 | 管理者 |
| 責任者 | 副 |
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 製品ＩＤ | 41 |
| 場所・区画 | 〔3〕 |
| キャビネット | 〔 0 〕 |
TSL
平成１１年
平成１１年３月
・EBSP(Electron Backscatter diffraction Pattern)を用いたOIM(Orientation Imaging Microscopy)技術
により，バルク試料のSEM観察像と対応させながら結晶粒方位を解析可能。
・試料の結晶方位と材料特性との関係を定量的に解析することが可能。
・圧延材等の集合組織の解析，配向性材料の方位解析，再結晶材料の方位や粒界の解析応力腐食割れ，半
導体チップ配線材の方位解析，セラミックスの粒界解析等。
・性能：0.2μm以下の領域からの結晶構造的情報を得ることが可能。
・FE－SEM (JSM-6330F) の付属装置として使用する。
地域共同研究センター
機械システム工学科
菅野 幹男 佐竹 忠昭
３１９５ ３１９１
msugano@yz.yamagata-u.ac.jp
山形大学
データベースアメニティ研究所