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仁科辰夫教授　最終講義　２０２３．３．１７　米沢キャンパス中示Ａ
処理…
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138252000/10/02熱処理CV2.jpg
138262000/10/02熱処理CV1.jpg
138272001/04/26熱処理したアルミニウムのLiBF4/PC+DME中における残余電流
137472000/07/27熱処理CV1.jpg
137482000/07/27熱処理CV2.jpg
137452000/07/19Al(熱処理600℃,5s).
137442000/07/19Al(熱処理600℃,5s)薄膜モード
137412000/10/02アジピン酸アンモニウム水溶液中の沸騰水処理したアルミニウムのボルタモグラム
130611999/11/23Al(前処理のみ)
131271999/12/04前処理
112621998/10/21ＮｉメッシュのみのＣＶ(前処理なし) No.2
109611998/04/23未処理ﾃﾞｨｽｸ電極にPVDFでKS15をｺｰﾄ
43521998/02/26Φ0.5端面電極で通常 前処理後30秒放置
43051998/02/26Φ0.5端面電極での前処理の最適化
42761998/02/26Φ0.5端面電極での前処理の最適化
38261998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01M 2.0mS/cm
38271998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.03MAA 5.5mS/cm
38241998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.4MAA 51mS/cm
38251998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.4MAA 52mS/cm
37791998/02/26前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01MAA 1.915mS/cm
37801998/02/26前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01MAA 2.1mS/cm
37811998/02/26前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.03MAA 4.9mS/cm
37721998/02/26Φ0.5端面電極での前処理の硝酸の影響
37701999/07/10前処理の影響
37711998/02/26Φ0.5端面電極での前処理の硝酸の影響
37092001/01/11アルミニウムの陽極酸化、前処理の影響
37082001/01/11アルミニウムの陽極酸化、前処理の影響
43351998/02/26Φ0.5端面電極でのアルミニウムの陽極酸化 前処理の影響 インピーダンス同時測定
40511998/02/26アルミニウムの陽極酸化 前処理の影響 インピーダンス同時測定
40461998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40451998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41181998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41141998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41131998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40421998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41111998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41121998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41101998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40441998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40431998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41091998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41071998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40011998/02/26高電圧流域まで電流平坦になるように前処理を最適化
40021998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
39851998/02/26前処理で硝酸で処理後直ちに測定した場合のサイクリックボルタモグラム
39281998/02/26前処理で硝酸処理後直ちに測定したサイクリックボルタモグラム
26311998/02/26前処理後2秒放置
26301998/02/26前処理後10分放置
26291998/02/26前処理後60秒放置
26281998/02/26恒温槽ﾉｲｽﾞ有り 前処理後2秒放置
43801998/02/26恒温槽のﾉｲｽﾞ有り 前処理後2秒放置
31211997/06/20【vt3frx43.esv】 ,;条件 = 1mA放電、室温 in Ar 21℃ 26%,;試料 = AB(未処理):MnO2(IC 21)=11.7:53.3 by 岩佐 at 1996-03-15
31141997/06/20【vt2trx30.esv】 ,;試料 = ab（未処理）:MnO2（400,10９=54.2:10.8 by 岩佐 at 1996-02-29,;条件 = １ｍＡ放電,Ar 23℃ 23%
27601999/02/22IC21(400℃)(30mg)-未処理ｱｾﾁﾚﾝﾌﾞﾗｯｸ
27591999/02/22IC21+未処理ｱｾﾁﾚﾝﾌﾞﾗｯｸ 0.4mA