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仁科辰夫教授　最終講義　２０２３．３．１７　米沢キャンパス中示Ａ
度…
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145902011/06/2106F19-デジタル硬度計.pdf
145312006/01/26Z:\伊藤智博\応用化学コース\基礎実験テキスト2003-2005\2005年度テキスト\ブック構成用\２００５年度テキスト-pub.pdf
140562000/12/28LiBF4_LiPF6電流密度.esv
140572000/12/28AA-電流密度.esv
140512000/12/21アルミニウムの電流密度-電位上昇速度のデジタルシミュレーション
140302000/11/06接触温度計.JPG
140232000/11/06ラバーヒータの温度測定.JPG
140242000/11/06ラバーヒータの温度測定0.JPG
138222000/10/02水分濃度を変えたLiBF4/PC+DME中のアルミニウムのクロノポテンショグラム
139852000/10/22@2001年度_応用演習_ver12_1.doc
134372000/02/08\\ZEUS\佐藤幸裕\20000208\水分濃度.jpg
133752000/01/17電場強度モデルの解説
130121999/11/17LiMn2O4-700C-4h (#17) 焼成中も温度降下時も窒素流入 11/9 1:2:3 (充放電試験 8サイクル 11/12開始)
130111999/11/17LiMn2O4-700C-4h (#13#14 Mix2) 焼成中も温度降下時も窒素流入 10/28 1:2:3 （充放電試験 ８サイクル 11/12開始)
130101999/11/17LiMn2O4-700C-4h (#13#14 Mix2) 焼成中も温度降下時も窒素流入 9/20 1:2:3 (充放電試験　8サイクル 11/12開始）
144022001/10/22LiBF4/PC+DME中の超高純度アルミニウムのボルタモグラム
129931999/11/10LiMn2O4-700C-4ｈ(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入）　(400) 1：2：3　10/28
129921999/11/10LiMn2O4-700C-4ｈ(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入）　(311) 1：2：3　10/28
129911999/11/10LiMn2O4-700C-4ｈ(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入）　（111） 1：2：3　10/28
129901999/11/10LiMn2O4-700C-4ｈ(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入）　1：2：3　10/28
129891999/11/10LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入） 茶色の生成物有り　1:2:3 10/28
129881999/11/10LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入） 茶色の生成物有り　1:2:3 10/27
129011999/10/07LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14) 4h (焼成中も温度降下時も窒素流入700Ｃ-342Ｃ（1ｈ）　バインダPVDF) 1：2：3　10/4
128992000/02/15LiMn2O4-700C-Mix2(#13#14) (4h) 焼成中も温度降下時も窒素流入 700C-342C(1h) 1：2：3　9/20
128621999/09/28LiNiO2-500C-#12(2h) 仮焼き (量、倍にして合成　真空乾燥（1ｈ）-故障-修復再度乾燥（2ｈ））　9/6-9/7
128261999/09/27LiMn2O4-800C-#3(2h)焼成中も温度降下時もCO２流入の条件で本焼きの際の付着物（LI2CO3?) 8/5
127981999/09/28LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)（4ｈ）　（400）　(焼成中も温度降下時も窒素流入）700C-342C(1h)　 1：2：3　9/20
127971999/09/28LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)（4ｈ）　（311）　(焼成中も温度降下時も窒素流入） 700C-342C(1h) 1：2：3　9/20
127951999/09/28LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)（4ｈ） (焼成中も温度降下時も窒素流入） 700C-342C(1h) 1：2：3　9/20
127961999/09/28LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)（4ｈ）　（111）　(焼成中も温度降下時も窒素流入) 700C-342C(1h) 1：2：3　9/20
127741999/09/27LiMn2O4-325C-#10(5分）仮焼き (511)(440)(531) (量、倍にして合成　真空乾燥48分-故障-修復再度乾燥3ｈ）1：2：2　9/3
127731999/09/27LiMn2O4-325C-#10(5分）仮焼き　(量、倍にして合成　真空乾燥48分-故障-修復再度乾燥3ｈ）　1：2：2　9/3
127491999/09/27LiMn2O4-800C-#3(2h)　（400）　焼成中も温度降下時もCO2流入　800C-200C（3ｈ）　1：2：2　8/5
127481999/09/27LiMn2O4-800C-#3(2h)　（311）　焼成中も温度降下時もCO2流入　800C-200C（3ｈ）　1：2：2　8/5
127471999/09/27LiMn2O4-800C-#3(2h)　（111）　焼成中も温度降下時もCO2流入　800C-200C(3h)　1：2：2　8/5
127461999/09/27LiMn2O4-800C-#3(2h) 焼成中も温度降下時もCO2流入　800C-200C(3h)　1：2：2　8/5
127401999/09/27LiMn2O4-800C-#2(4h)　（400）　温度降下時CO2流入　800C-212C（3ｈ）　1：2：2　8/2
127391999/09/27LiMn2O4-800C-＃2（4ｈ）　（311）　温度降下時CO２流入　800C-212C（3ｈ）　1：2：2　8/2
127381999/09/27LiMn2O4-800C-#2(4h) (111) 温度降下時CO2流入　800C-212C（3ｈ）　1：2：2　8/2
127371999/09/24LiMn2O4-800C-#2(4h) 温度降下時CO2流入　800C-212C（3ｈ）　1：2：2　8/2
127361999/09/24LiMn2O4-800C-#2（4ｈ）　（400）　温度降下時CO2流入　800C-39C（9ｈ）　1：2：2　7/29
127351999/09/24LiMn2O4-800C-#2(4h)　（311）　温度降下時CO2流入　800C-39C（9ｈ）　1：2：2　7/29
127341999/09/24LiMn2O4-800C-#2(4h)　（111）　温度降下時CO2流入　800C-39C（9ｈ）　1：2：2　7/29
127331999/09/24LiMn2O4-800C-#2(4h) 温度降下時CO2流入　800C-39C（9ｈ）　　1：2：2　7/29
125681999/05/24温度を変化させたときの電位掃引速度と電流密度
125631999/05/24電流密度と擬似電荷移動導電率の関係
125611999/05/22電流密度-勾配
124841999/04/16Al99.999超高純度/LiMn2O4,C/LiBF4,PC+DME/Li/SUS304
124831999/04/16Al99.999超高純度/LiMn2O4,C/LiPF6,PC+DME/Li/SUS304
53331998/01/29粒度分布の違いによる充放電曲線の違い
53251998/01/24分級したマンガン酸リチウムの粒度分布
53131998/01/17純水中高速領域での電場強度-電流密度
53121998/01/17ｱｼﾞﾋﾟﾝ酸ｱﾝﾓﾆｳﾑ水溶液中高速領域での電場強度-電流密度
121321998/12/03LiClO4/PC+DMEの吸光光度スペクトル(AA)
121311998/12/03PC+DMEの吸光光度スペクトル(AA)
122541998/12/03(003)/(104)ピーク強度比とアノードピーク電流
122531998/12/03(003)/(104)ピーク強度比と充放電容量
119951998/12/03電流密度を変えたときのＭｎO2の放電挙動(0.2mA)
119941998/12/03電流密度を変えたときのＭｎO2の放電挙動　0.1mA/cm2
114251998/08/21コバルト酸リチウム薄膜電極のボルタモグラムの電位掃引速度依存性
113681998/07/28FB97（インピーダンス測定後、再度サイクル)
111521998/06/02放電深さとインピーダンス（KOH濃度の影響）
111381998/06/02放電深さと位相差（KOH濃度の影響）
111271998/06/02放電深さと電位（KOH濃度の影響）
110091998/06/22LiCoO2(FB97)を電流密度を絞って(4μA)にして充電
110291999/05/15;掃引速度 : 0.100 V/s, 120Hz 1mV, 10mA 2mV
110281999/05/15掃引速度 : 0.200 V/s 120Hz 1mV, 10mA 2mV
110271999/05/15掃引速度 : 1.000 V/s 10mA 2mV
110261999/05/15掃引速度 : 0.5 V/s 10mA 2mV
110251999/05/15掃引速度 : 0.5 V/s 120Hz 1mV, 10mA 20mV
110231999/05/15掃引速度 : 0.500 V/s 120Hz 1mV, 10mA 200mV
110221999/05/15掃引速度 : 0.500 V/s 120Hz 1mV, 10mA 100mV
110031999/05/15掃引速度 : 0.100 V/s
110021999/05/15掃引速度 : 0.200 V/s
110011999/05/15;掃引速度 : 0.500 V/s
110001999/05/15掃引速度 : 1.000 V/s
109571998/04/23純物質(FB97)だけを低速度で掃引
109621998/04/23200V陽極酸化済ﾃﾞｨｽｸ電極にPVDFでKS15をｺｰﾄを再度電位掃引
107191998/03/20図2-9 電位掃引速度と電流密度(60℃)
107181998/03/20図2-9 電位掃引速度と電流密度(25℃)
107171998/03/20図2-9 電位掃引速度と電流密度(0℃)
107161998/03/13IC21の抵抗の温度変化
106991998/05/219M KOHにおいてEMDｶｿｰﾄﾞの定電流放電曲線に電流密度が及ぼす影響
133632000/01/05\\ZEUS\Docs\事務書類\科研費\平成10年度奨励研究（Ｂ）申請書.doc
133642000/01/05\\ZEUS\Docs\事務書類\科研費\平成9年度奨励研究（Ｂ）申請書.doc
52521997/10/29IC21粒度分布2回目.esv
52511997/10/29IC21粒度分布測定結果 原料粉(1回目)log.esv
52501997/10/29IC21粒度分布測定結果 原料粉(1回目).esv
52491997/10/29IC21_1F粒度分布測定結果 1F小粒径粉.esv
52481997/10/29IC21_1C粒度分布測定結果 1C大粒径粉log.esv
52471997/10/29IC21_1C粒度分布測定結果 1C大粒径粉.esv
52461997/10/29IC21粒度分布2回目log.esv
52451997/10/29IC21_1F粒度分布測定結果 1F小粒径粉log.esv
52441998/03/13ＬｉＣｏＯ２（ＦＢ９７）粒度分布
50131997/10/07休止後の電位上昇速度とステップ電流の関係
45861998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ,5％AA,36mS/cm
38261998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01M 2.0mS/cm
38271998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.03MAA 5.5mS/cm
38241998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.4MAA 51mS/cm
38251998/02/26Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.4MAA 52mS/cm
37821998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 5％AA 36mS/cm
37831998/02/26電解液濃度をかｓた影響 逆ランプ 0.01MAA 2.1mS/cm
37851998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.04MAA 50mS/cm
37861998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.03MAA 5.95mS/cm
37781998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.01MAA 2.1mS/cm
37791998/02/26前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01MAA 1.915mS/cm
37801998/02/26前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01MAA 2.1mS/cm
37811998/02/26前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.03MAA 4.9mS/cm
37641998/02/26印加電流密度のオーバーシュートに与える影響
37651998/02/26印加電流密度のオーバーシュートに与える影響
37351998/02/2610mAの上昇速度
19851997/06/23掃引速度10Vと100V
19191997/06/23掃引速度 100V,Range 1A
14351997/06/23掃引速度 50V,Range 100mA
14361997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
14371997/06/23掃引速度 50V,Range 1A
14331997/06/23掃引速度 20V,Range 100mA
14341997/06/23掃引速度 10V,Range 100mA
19861997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
19871997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
19891997/06/23掃引速度 0.5V,Range 1mA
19901997/06/23掃引速度 2V,Range 10mA
19911997/06/23掃引速度 1V,Range 10mA
19921997/06/23掃引速度0.1-5
19881997/06/23掃引速度 0.1V,Range 1mA
19201997/06/23掃引速度 100V,Range 1A
20461997/06/23掃引速度10-100
14381997/06/23掃引速度 20V,Range 100mA
14401997/06/23掃引速度 50V,Range 100mA
14411997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
14421997/06/23掃引速度 50V,Range 1A
14391997/06/23掃引速度 10V,Range 100mA
20441997/06/23掃引速度０．２ＶのときのSimulationと実測値
20451997/06/23掃引速度０．２ＶのときのSimulationと実測値,Cv9afa59(0.2v,1mA)0.2補完
19961997/06/23掃引速度 0.5V,Range 1mA
19931997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
19941997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
19951997/06/23掃引速度 0.1V,Range 1mA
19971997/06/23掃引速度 2V,Range 10mA
19981997/06/23掃引速度 1V,Range 10mA
19801997/06/23掃引速度0.1-5
20431997/06/23掃引速度10-100
19211997/06/23掃引速度 100V,Range 1A
14451997/06/23掃引速度 50V,Range 100mA
14461997/06/23掃引速度 5V,Range 100mA
14471997/06/23掃引速度 50V,Range 1A
14431997/06/23掃引速度 20V,Range 100mA
14441997/06/23掃引速度 10V,Range 100mA
9171997/06/23D:\測定ﾃﾞｰﾀ(esv形式)\@ｱﾙﾐﾆｳﾑの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa26[0.2mA,0.0777Vs].esv
20521999/11/27電流密度で縦軸が電位上昇速度
20531999/11/27電流密度を変えたときの電位上昇（横軸時間、縦軸電位)
9181997/06/23密度を変えて陽極酸化\cp4bfa20[0.1mA,0.0373Vs].esv
9191997/06/23D:\測定ﾃﾞｰﾀ(esv形式)\@ｱﾙﾐﾆｳﾑの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa22[0.5mA,0.196Vs].esv
9221997/06/23D:\測定ﾃﾞｰﾀ(esv形式)\@ｱﾙﾐﾆｳﾑの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp49fa19[1mA,0.388Vs].esv
9231997/06/23D:\測定ﾃﾞｰﾀ(esv形式)\@ｱﾙﾐﾆｳﾑの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp49fa18[1mA,0.395Vs].esv
9201997/06/23D:\測定ﾃﾞｰﾀ(esv形式)\@ｱﾙﾐﾆｳﾑの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa24[1mA,0.382Vs].esv
9211997/06/23D:\測定ﾃﾞｰﾀ(esv形式)\@ｱﾙﾐﾆｳﾑの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa23[1mA,0.380Vs].esv
9092001/02/17容量電流密度一定のカーボンの影響
15311998/08/29アルカリマンガンセルにおける温度を変えたときの放電曲線
15321998/08/21アルカリ水溶液中における二酸化マンガンの放電（電流密度の影響-抜粋）
10341998/08/21アルカリ水溶液中における二酸化マンガンの放電（電流密度の影響）
6581998/08/27MnO2における電流密度と過電圧(100mAh/g放電時)
28531998/02/26アジピン酸アンモニウム水溶液中のアルミニウムのボルタモグラム－電位掃引速度依存性－
25431997/06/23掃引速度 0.2V,Range 1mA
106981998/05/21LiMn2O4のｻｲｸﾘｯｸﾎﾞﾙﾀﾓｸﾞﾗﾑ。掃引速度は、 0.02 mV･s-1.
25421997/06/23掃引速度 0.2V,Range 1mA
25441997/06/23掃引速度 0.5V,Range 1mA
25461997/06/23掃引速度 1V,Range 10mA
25481997/06/23掃引速度 2V,Range 10mA
25411997/06/23掃引速度 0.1V,Range 1mA
21421998/02/14【cp4ofa67.esv】 ,;電位上昇速度 = .846664625325696[V/s],;条件 = 2ｍA、10V 24℃ 32%
21431998/02/14【cp4ofa68.esv】 ,;電位上昇速度 = .205400424943667[V/s],;条件 = 0.5mA、10V 23℃ 32%
21411998/02/14【cp4ofa66.esv】 ,;電位上昇速度 = .387890461656155[V/s],;条件 = 1mA、10V 24℃ 31%
21401998/02/14【cp4ofa65.esv】 ,;電位上昇速度 = 4.3108913538874[V/s],;条件 = 10mA、10V 24℃ 31%
21391998/02/14【cp4nfa64.esv】 ,;電位上昇速度 = .397816112227351[V/s],;条件 = 1mA,10V 22℃ 33%
21381998/02/14【cp4nfa63.esv】 ,;電位上昇速度 = .190793983786573[V/s],;条件 = 0.5mA,10V 22℃ 33%
21371998/02/14【cp4nfa62.esv】 ,;電位上昇速度 = .192014442595162[V/s],;条件 = 0.5mA,10V 22℃ 33%
21361998/02/14【cp4nfa61.esv】 ,;電位上昇速度 = .811853163353687[V/s],;条件 = 2mA,10V 22℃ 32%
21351998/02/14【cp4nfa60.esv】 ,;電位上昇速度 = .789422877496755[V/s],;条件 = 2mA,10V 22℃ 31%
21341998/02/14【cp4nfa59.esv】 ,;電位上昇速度 = 3.97277903843002[V/s],;条件 = 10mA,10V 22℃ 31%
21331998/02/14【cp4nfa58.esv】 ,;電位上昇速度 = 4.53369893606115[V/s],;条件 =
21311998/02/14【cp4nfa56.esv】 ,;電位上昇速度 = 3.47531078977184E-02[V/s],;条件 = 0.1mA,10V 20℃ 34%
21301998/02/14【cp4nfa55.esv】 ,;電位上昇速度 = .03557459327828[V/s],;条件 = 0.1mA,10V 20℃ 34%
21291998/02/14【cp4nfa54.esv】 ,;電位上昇速度 = 2.01891285751649[V/s],;条件 = 5mA,10V 19℃ 36%
21281998/02/14【cp4nfa53.esv】 ,;電位上昇速度 = 1.97122431309513[V/s],;条件 = 5mA,10V 18℃ 36%
21271998/02/14【cp4nfa52.esv】 ,;電位上昇速度 = 0[V/s],;条件 = 5mA,10V 17℃ 36%
30941997/06/20【vt1urx10.esv】 ,;条件 = 電流密度１mA　１電子還元 21 24,;試料 = MoO3 by 斎藤秋広 at 1996-01-30