ID | 更新日時 | 項目 |
14590 | 2011/06/21 | 06F19-デジタル硬度計.pdf |
14531 | 2006/01/26 | Z:\伊藤智博\応用化学コース\基礎実験テキスト2003-2005\2005年度テキスト\ブック構成用\2005年度テキスト-pub.pdf |
14056 | 2000/12/28 | LiBF4_LiPF6電流密度.esv |
14057 | 2000/12/28 | AA-電流密度.esv |
14051 | 2000/12/21 | アルミニウムの電流密度-電位上昇速度のデジタルシミュレーション |
14030 | 2000/11/06 | 接触温度計.JPG |
14023 | 2000/11/06 | ラバーヒータの温度測定.JPG |
14024 | 2000/11/06 | ラバーヒータの温度測定0.JPG |
13822 | 2000/10/02 | 水分濃度を変えたLiBF4/PC+DME中のアルミニウムのクロノポテンショグラム |
13985 | 2000/10/22 | @2001年度_応用演習_ver12_1.doc |
13437 | 2000/02/08 | \\ZEUS\佐藤幸裕\20000208\水分濃度.jpg |
13375 | 2000/01/17 | 電場強度モデルの解説 |
13012 | 1999/11/17 | LiMn2O4-700C-4h (#17) 焼成中も温度降下時も窒素流入 11/9 1:2:3 (充放電試験 8サイクル 11/12開始) |
13011 | 1999/11/17 | LiMn2O4-700C-4h (#13#14 Mix2) 焼成中も温度降下時も窒素流入 10/28 1:2:3 (充放電試験 8サイクル 11/12開始) |
13010 | 1999/11/17 | LiMn2O4-700C-4h (#13#14 Mix2) 焼成中も温度降下時も窒素流入 9/20 1:2:3 (充放電試験 8サイクル 11/12開始) |
14402 | 2001/10/22 | LiBF4/PC+DME中の超高純度アルミニウムのボルタモグラム |
12993 | 1999/11/10 | LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入) (400) 1:2:3 10/28 |
12992 | 1999/11/10 | LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入) (311) 1:2:3 10/28 |
12991 | 1999/11/10 | LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入) (111) 1:2:3 10/28 |
12990 | 1999/11/10 | LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入) 1:2:3 10/28 |
12989 | 1999/11/10 | LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入) 茶色の生成物有り 1:2:3 10/28 |
12988 | 1999/11/10 | LiMn2O4-700C-4h(#13#14 Mix2) (焼成中も温度降下時も窒素流入) 茶色の生成物有り 1:2:3 10/27 |
12901 | 1999/10/07 | LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14) 4h (焼成中も温度降下時も窒素流入700C-342C(1h) バインダPVDF) 1:2:3 10/4 |
12899 | 2000/02/15 | LiMn2O4-700C-Mix2(#13#14) (4h) 焼成中も温度降下時も窒素流入 700C-342C(1h) 1:2:3 9/20 |
12862 | 1999/09/28 | LiNiO2-500C-#12(2h) 仮焼き (量、倍にして合成 真空乾燥(1h)-故障-修復再度乾燥(2h)) 9/6-9/7 |
12826 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#3(2h)焼成中も温度降下時もCO2流入の条件で本焼きの際の付着物(LI2CO3?) 8/5 |
12798 | 1999/09/28 | LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)(4h) (400) (焼成中も温度降下時も窒素流入)700C-342C(1h) 1:2:3 9/20 |
12797 | 1999/09/28 | LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)(4h) (311) (焼成中も温度降下時も窒素流入) 700C-342C(1h) 1:2:3 9/20 |
12795 | 1999/09/28 | LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)(4h) (焼成中も温度降下時も窒素流入) 700C-342C(1h) 1:2:3 9/20 |
12796 | 1999/09/28 | LiMn2O4-700C-Mix2(#13,#14)(4h) (111) (焼成中も温度降下時も窒素流入) 700C-342C(1h) 1:2:3 9/20 |
12774 | 1999/09/27 | LiMn2O4-325C-#10(5分)仮焼き (511)(440)(531) (量、倍にして合成 真空乾燥48分-故障-修復再度乾燥3h)1:2:2 9/3 |
12773 | 1999/09/27 | LiMn2O4-325C-#10(5分)仮焼き (量、倍にして合成 真空乾燥48分-故障-修復再度乾燥3h) 1:2:2 9/3 |
12749 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#3(2h) (400) 焼成中も温度降下時もCO2流入 800C-200C(3h) 1:2:2 8/5 |
12748 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#3(2h) (311) 焼成中も温度降下時もCO2流入 800C-200C(3h) 1:2:2 8/5 |
12747 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#3(2h) (111) 焼成中も温度降下時もCO2流入 800C-200C(3h) 1:2:2 8/5 |
12746 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#3(2h) 焼成中も温度降下時もCO2流入 800C-200C(3h) 1:2:2 8/5 |
12740 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#2(4h) (400) 温度降下時CO2流入 800C-212C(3h) 1:2:2 8/2 |
12739 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#2(4h) (311) 温度降下時CO2流入 800C-212C(3h) 1:2:2 8/2 |
12738 | 1999/09/27 | LiMn2O4-800C-#2(4h) (111) 温度降下時CO2流入 800C-212C(3h) 1:2:2 8/2 |
12737 | 1999/09/24 | LiMn2O4-800C-#2(4h) 温度降下時CO2流入 800C-212C(3h) 1:2:2 8/2 |
12736 | 1999/09/24 | LiMn2O4-800C-#2(4h) (400) 温度降下時CO2流入 800C-39C(9h) 1:2:2 7/29 |
12735 | 1999/09/24 | LiMn2O4-800C-#2(4h) (311) 温度降下時CO2流入 800C-39C(9h) 1:2:2 7/29 |
12734 | 1999/09/24 | LiMn2O4-800C-#2(4h) (111) 温度降下時CO2流入 800C-39C(9h) 1:2:2 7/29 |
12733 | 1999/09/24 | LiMn2O4-800C-#2(4h) 温度降下時CO2流入 800C-39C(9h) 1:2:2 7/29 |
12568 | 1999/05/24 | 温度を変化させたときの電位掃引速度と電流密度 |
12563 | 1999/05/24 | 電流密度と擬似電荷移動導電率の関係 |
12561 | 1999/05/22 | 電流密度-勾配 |
12484 | 1999/04/16 | Al99.999超高純度/LiMn2O4,C/LiBF4,PC+DME/Li/SUS304 |
12483 | 1999/04/16 | Al99.999超高純度/LiMn2O4,C/LiPF6,PC+DME/Li/SUS304 |
5333 | 1998/01/29 | 粒度分布の違いによる充放電曲線の違い |
5325 | 1998/01/24 | 分級したマンガン酸リチウムの粒度分布 |
5313 | 1998/01/17 | 純水中高速領域での電場強度-電流密度 |
5312 | 1998/01/17 | アジピン酸アンモニウム水溶液中高速領域での電場強度-電流密度 |
12132 | 1998/12/03 | LiClO4/PC+DMEの吸光光度スペクトル(AA) |
12131 | 1998/12/03 | PC+DMEの吸光光度スペクトル(AA) |
12254 | 1998/12/03 | (003)/(104)ピーク強度比とアノードピーク電流 |
12253 | 1998/12/03 | (003)/(104)ピーク強度比と充放電容量 |
11995 | 1998/12/03 | 電流密度を変えたときのMnO2の放電挙動(0.2mA) |
11994 | 1998/12/03 | 電流密度を変えたときのMnO2の放電挙動 0.1mA/cm2 |
11425 | 1998/08/21 | コバルト酸リチウム薄膜電極のボルタモグラムの電位掃引速度依存性 |
11368 | 1998/07/28 | FB97(インピーダンス測定後、再度サイクル) |
11152 | 1998/06/02 | 放電深さとインピーダンス(KOH濃度の影響) |
11138 | 1998/06/02 | 放電深さと位相差(KOH濃度の影響) |
11127 | 1998/06/02 | 放電深さと電位(KOH濃度の影響) |
11009 | 1998/06/22 | LiCoO2(FB97)を電流密度を絞って(4μA)にして充電 |
11029 | 1999/05/15 | ;掃引速度 : 0.100 V/s, 120Hz 1mV, 10mA 2mV |
11028 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.200 V/s 120Hz 1mV, 10mA 2mV |
11027 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 1.000 V/s 10mA 2mV |
11026 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.5 V/s 10mA 2mV |
11025 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.5 V/s 120Hz 1mV, 10mA 20mV |
11023 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.500 V/s 120Hz 1mV, 10mA 200mV |
11022 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.500 V/s 120Hz 1mV, 10mA 100mV |
11003 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.100 V/s |
11002 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 0.200 V/s |
11001 | 1999/05/15 | ;掃引速度 : 0.500 V/s |
11000 | 1999/05/15 | 掃引速度 : 1.000 V/s |
10957 | 1998/04/23 | 純物質(FB97)だけを低速度で掃引 |
10962 | 1998/04/23 | 200V陽極酸化済ディスク電極にPVDFでKS15をコートを再度電位掃引 |
10719 | 1998/03/20 | 図2-9 電位掃引速度と電流密度(60℃) |
10718 | 1998/03/20 | 図2-9 電位掃引速度と電流密度(25℃) |
10717 | 1998/03/20 | 図2-9 電位掃引速度と電流密度(0℃) |
10716 | 1998/03/13 | IC21の抵抗の温度変化 |
10699 | 1998/05/21 | 9M KOHにおいてEMDカソードの定電流放電曲線に電流密度が及ぼす影響 |
13363 | 2000/01/05 | \\ZEUS\Docs\事務書類\科研費\平成10年度奨励研究(B)申請書.doc |
13364 | 2000/01/05 | \\ZEUS\Docs\事務書類\科研費\平成9年度奨励研究(B)申請書.doc |
5252 | 1997/10/29 | IC21粒度分布2回目.esv |
5251 | 1997/10/29 | IC21粒度分布測定結果 原料粉(1回目)log.esv |
5250 | 1997/10/29 | IC21粒度分布測定結果 原料粉(1回目).esv |
5249 | 1997/10/29 | IC21_1F粒度分布測定結果 1F小粒径粉.esv |
5248 | 1997/10/29 | IC21_1C粒度分布測定結果 1C大粒径粉log.esv |
5247 | 1997/10/29 | IC21_1C粒度分布測定結果 1C大粒径粉.esv |
5246 | 1997/10/29 | IC21粒度分布2回目log.esv |
5245 | 1997/10/29 | IC21_1F粒度分布測定結果 1F小粒径粉log.esv |
5244 | 1998/03/13 | LiCoO2(FB97)粒度分布 |
5013 | 1997/10/07 | 休止後の電位上昇速度とステップ電流の関係 |
4586 | 1998/02/26 | 電解液濃度を変えた影響 逆ランプ,5%AA,36mS/cm |
3826 | 1998/02/26 | Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01M 2.0mS/cm |
3827 | 1998/02/26 | Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.03MAA 5.5mS/cm |
3824 | 1998/02/26 | Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.4MAA 51mS/cm |
3825 | 1998/02/26 | Φ0.5端面電極で前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.4MAA 52mS/cm |
3782 | 1998/02/26 | 電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 5%AA 36mS/cm |
3783 | 1998/02/26 | 電解液濃度をかsた影響 逆ランプ 0.01MAA 2.1mS/cm |
3785 | 1998/02/26 | 電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.04MAA 50mS/cm |
3786 | 1998/02/26 | 電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.03MAA 5.95mS/cm |
3778 | 1998/02/26 | 電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.01MAA 2.1mS/cm |
3779 | 1998/02/26 | 前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01MAA 1.915mS/cm |
3780 | 1998/02/26 | 前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.01MAA 2.1mS/cm |
3781 | 1998/02/26 | 前処理の硝酸と電解液濃度の影響 0.03MAA 4.9mS/cm |
3764 | 1998/02/26 | 印加電流密度のオーバーシュートに与える影響 |
3765 | 1998/02/26 | 印加電流密度のオーバーシュートに与える影響 |
3735 | 1998/02/26 | 10mAの上昇速度 |
1985 | 1997/06/23 | 掃引速度10Vと100V |
1919 | 1997/06/23 | 掃引速度 100V,Range 1A |
1435 | 1997/06/23 | 掃引速度 50V,Range 100mA |
1436 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1437 | 1997/06/23 | 掃引速度 50V,Range 1A |
1433 | 1997/06/23 | 掃引速度 20V,Range 100mA |
1434 | 1997/06/23 | 掃引速度 10V,Range 100mA |
1986 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1987 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1989 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.5V,Range 1mA |
1990 | 1997/06/23 | 掃引速度 2V,Range 10mA |
1991 | 1997/06/23 | 掃引速度 1V,Range 10mA |
1992 | 1997/06/23 | 掃引速度0.1-5 |
1988 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.1V,Range 1mA |
1920 | 1997/06/23 | 掃引速度 100V,Range 1A |
2046 | 1997/06/23 | 掃引速度10-100 |
1438 | 1997/06/23 | 掃引速度 20V,Range 100mA |
1440 | 1997/06/23 | 掃引速度 50V,Range 100mA |
1441 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1442 | 1997/06/23 | 掃引速度 50V,Range 1A |
1439 | 1997/06/23 | 掃引速度 10V,Range 100mA |
2044 | 1997/06/23 | 掃引速度0.2VのときのSimulationと実測値 |
2045 | 1997/06/23 | 掃引速度0.2VのときのSimulationと実測値,Cv9afa59(0.2v,1mA)0.2補完 |
1996 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.5V,Range 1mA |
1993 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1994 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1995 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.1V,Range 1mA |
1997 | 1997/06/23 | 掃引速度 2V,Range 10mA |
1998 | 1997/06/23 | 掃引速度 1V,Range 10mA |
1980 | 1997/06/23 | 掃引速度0.1-5 |
2043 | 1997/06/23 | 掃引速度10-100 |
1921 | 1997/06/23 | 掃引速度 100V,Range 1A |
1445 | 1997/06/23 | 掃引速度 50V,Range 100mA |
1446 | 1997/06/23 | 掃引速度 5V,Range 100mA |
1447 | 1997/06/23 | 掃引速度 50V,Range 1A |
1443 | 1997/06/23 | 掃引速度 20V,Range 100mA |
1444 | 1997/06/23 | 掃引速度 10V,Range 100mA |
917 | 1997/06/23 | D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa26[0.2mA,0.0777Vs].esv |
2052 | 1999/11/27 | 電流密度で縦軸が電位上昇速度 |
2053 | 1999/11/27 | 電流密度を変えたときの電位上昇(横軸時間、縦軸電位) |
918 | 1997/06/23 | 密度を変えて陽極酸化\cp4bfa20[0.1mA,0.0373Vs].esv |
919 | 1997/06/23 | D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa22[0.5mA,0.196Vs].esv |
922 | 1997/06/23 | D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp49fa19[1mA,0.388Vs].esv |
923 | 1997/06/23 | D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp49fa18[1mA,0.395Vs].esv |
920 | 1997/06/23 | D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa24[1mA,0.382Vs].esv |
921 | 1997/06/23 | D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa23[1mA,0.380Vs].esv |
909 | 2001/02/17 | 容量電流密度一定のカーボンの影響 |
1531 | 1998/08/29 | アルカリマンガンセルにおける温度を変えたときの放電曲線 |
1532 | 1998/08/21 | アルカリ水溶液中における二酸化マンガンの放電(電流密度の影響-抜粋) |
1034 | 1998/08/21 | アルカリ水溶液中における二酸化マンガンの放電(電流密度の影響) |
658 | 1998/08/27 | MnO2における電流密度と過電圧(100mAh/g放電時) |
2853 | 1998/02/26 | アジピン酸アンモニウム水溶液中のアルミニウムのボルタモグラム-電位掃引速度依存性- |
2543 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.2V,Range 1mA |
10698 | 1998/05/21 | LiMn2O4のサイクリックボルタモグラム。掃引速度は、 0.02 mV・s-1. |
2542 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.2V,Range 1mA |
2544 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.5V,Range 1mA |
2546 | 1997/06/23 | 掃引速度 1V,Range 10mA |
2548 | 1997/06/23 | 掃引速度 2V,Range 10mA |
2541 | 1997/06/23 | 掃引速度 0.1V,Range 1mA |
2142 | 1998/02/14 | 【cp4ofa67.esv】 ,;電位上昇速度 = .846664625325696[V/s],;条件 = 2mA、10V 24℃ 32% |
2143 | 1998/02/14 | 【cp4ofa68.esv】 ,;電位上昇速度 = .205400424943667[V/s],;条件 = 0.5mA、10V 23℃ 32% |
2141 | 1998/02/14 | 【cp4ofa66.esv】 ,;電位上昇速度 = .387890461656155[V/s],;条件 = 1mA、10V 24℃ 31% |
2140 | 1998/02/14 | 【cp4ofa65.esv】 ,;電位上昇速度 = 4.3108913538874[V/s],;条件 = 10mA、10V 24℃ 31% |
2139 | 1998/02/14 | 【cp4nfa64.esv】 ,;電位上昇速度 = .397816112227351[V/s],;条件 = 1mA,10V 22℃ 33% |
2138 | 1998/02/14 | 【cp4nfa63.esv】 ,;電位上昇速度 = .190793983786573[V/s],;条件 = 0.5mA,10V 22℃ 33% |
2137 | 1998/02/14 | 【cp4nfa62.esv】 ,;電位上昇速度 = .192014442595162[V/s],;条件 = 0.5mA,10V 22℃ 33% |
2136 | 1998/02/14 | 【cp4nfa61.esv】 ,;電位上昇速度 = .811853163353687[V/s],;条件 = 2mA,10V 22℃ 32% |
2135 | 1998/02/14 | 【cp4nfa60.esv】 ,;電位上昇速度 = .789422877496755[V/s],;条件 = 2mA,10V 22℃ 31% |
2134 | 1998/02/14 | 【cp4nfa59.esv】 ,;電位上昇速度 = 3.97277903843002[V/s],;条件 = 10mA,10V 22℃ 31% |
2133 | 1998/02/14 | 【cp4nfa58.esv】 ,;電位上昇速度 = 4.53369893606115[V/s],;条件 = |
2131 | 1998/02/14 | 【cp4nfa56.esv】 ,;電位上昇速度 = 3.47531078977184E-02[V/s],;条件 = 0.1mA,10V 20℃ 34% |
2130 | 1998/02/14 | 【cp4nfa55.esv】 ,;電位上昇速度 = .03557459327828[V/s],;条件 = 0.1mA,10V 20℃ 34% |
2129 | 1998/02/14 | 【cp4nfa54.esv】 ,;電位上昇速度 = 2.01891285751649[V/s],;条件 = 5mA,10V 19℃ 36% |
2128 | 1998/02/14 | 【cp4nfa53.esv】 ,;電位上昇速度 = 1.97122431309513[V/s],;条件 = 5mA,10V 18℃ 36% |
2127 | 1998/02/14 | 【cp4nfa52.esv】 ,;電位上昇速度 = 0[V/s],;条件 = 5mA,10V 17℃ 36% |
3094 | 1997/06/20 | 【vt1urx10.esv】 ,;条件 = 電流密度1mA 1電子還元 21 24,;試料 = MoO3 by 斎藤秋広 at 1996-01-30 |