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仁科辰夫教授 最終講義 2023.3.17 米沢キャンパス中示A
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144762002/05/11位相を測定したデータ
144102001/11/07水分(300ppm)を含むLiBF4中のアルミニウムのボルタモグラム
144092001/11/07水分(1000ppm)を含むLiBF4中のアルミニウムのボルタモグラム
144292001/12/13溶液抵抗を仮定した電池のデジタルシミュレーション
143932001/10/18残余電流を考慮したLiBF4/PC+DME中のアルミニウムのデジタルシミュレーション
138532000/10/10硝酸を添加したLiPF6/PC+DME中のアルミニウムの残余電流
138222000/10/02水分濃度を変えたLiBF4/PC+DME中のアルミニウムのクロノポテンショグラム
138142000/09/28硝酸を添加したLiBF4/PC+DMEアルミニウムの残余電流
139612000/10/22@@7S@@BH.ESV(VT7JDA18を復活)
131511999/12/14LiCoO2本焼成700℃5H 仮焼成15分100℃の時、錯体を出来るだけ燃やさない様にピンク色に焼成出来たもの。
132902000/01/11参照極、対極にリチウムを用いたCV
130721999/11/27不純物を含む電流絞り込み
129751999/11/10LiNiO2-200C-5min(#18) 仮焼き(200C 5minうぐいす色に仮焼きした際、黒く焦げた所を除いた物) 9/29
128971999/09/29SEM写真を撮影したもののcv
128871999/09/29SEM写真を撮影したものの光学顕微鏡写真(測定後、溶液外)
128861999/09/29SEM写真を撮影したもの光学顕微鏡写真(測定後、溶液中)
128851999/09/29SEM写真を撮影したものの光学顕微鏡写真(測定前、溶液中)
128841999/09/29SEM写真を撮影したものの光学顕微鏡写真(測定前、溶液外)
125681999/05/24温度を変化させたときの電位掃引速度と電流密度
124791999/03/24Al-Co集電体電極を用いたLiMn2O4の充放電
124801999/08/05Al-Mo集電体電極を用いたLiMn2O4の充放電
124682000/05/18F20を200℃,2hr, Air Flow
124692000/05/18F20を800℃ 2hr Air flow
124672000/05/18complex P4 をガスバーナーで焼成
124652000/05/18comp 21 をガスバーナー
124571999/04/16Alディスク電極を用いたLiMn2O4の充放電
53741998/02/21二酸化マンガンと酸化ビスマスを混ぜ練り、カーボン無し
53471998/02/12標準をLiMn2O4(1029.4mg)で覆う確認
53461998/02/12標準をSUS304(1980mg)で覆う
53361998/02/07通常電極をLiMn2O4で覆う
53351998/02/07通常電極をSUS304で覆う
53221998/01/212-c(粗粉)でカーボンを増量したCV
53171998/01/20通常電極(小)をアセチレンブラックで被覆
122511998/12/03膜厚を変えたときの+3.86Vにおける電流の比較
119951998/12/03電流密度を変えたときのMnO2の放電挙動(0.2mA)
119941998/12/03電流密度を変えたときのMnO2の放電挙動 0.1mA/cm2
118011998/09/08微小薄膜0.5-0.3:1mV/s 1μAレンジ +4.25まで電位範囲を拡張
115191998/08/31微小薄膜電極を用いた初めての測定
114261998/12/03導電助剤(炭素)の量を変えたコバルト酸リチウムコンポジット電極の充放電曲線
134582000/02/10@250LiCoO2薄膜電極を用いたインピーダンス挙動.doc
114191998/08/07陽極酸化済みAl に 物質を圧着
114181998/08/06種々の導電助剤を用いたときのLiMn2O4の挙動
114141998/08/29種々の導電助剤を用いたときの二酸化マンガン(MnO2)の挙動
113661998/07/28スライドグラス上の薄膜LiMn2O4をシャーレ上で直接評価
113291998/07/17LiCoO2薄膜電極を用いた電池活物質
113201998/08/10RuO2を導電助剤につかったときの充放電挙動
113192000/07/30導電助材としてステンレス粉を500mg用いた場合
113181998/10/21炭素の量を減らしていったときのLiMn2O4の挙動
112741998/10/21MnO2=IC21/金粉を導電助材として放電
112731998/10/21RuO2を導電助材につかったときの二酸化マンガンの放電挙動 .
131261999/12/04導電助剤に金を使ったマンガン酸リチウムのコンポジット電極の断面(デジタルハイスコープ写真)
112651998/10/21NiメッシュのみのCV(4と同じ電解液を使用)No.5
112641998/10/21NiメッシュのみのCV (電解液をチェンジ)No. 4
111972001/05/19導電助材を増やした二酸化マンガンコンポジット電極の放電時のインピーダンス
111251998/08/06カーボンの量を変えたときの充電放電比率
111111998/05/22導電助剤に金粉を用いたコバルト酸リチウムコンポジット電極のボルタモグラム
111121998/05/224μAで充電したものを放電(FB97(30mg)ONLY)
113031998/07/10二酸化マンガンを圧着したアルミニウムのボルタモグラム
110091998/06/22LiCoO2(FB97)を電流密度を絞って(4μA)にして充電
109981998/05/27LiCoO2=FB97/導電剤の代わりに金粉を使用(0.1mV/sec,2サイクル)
109921998/10/21炭素量を変えたときのLiMn2O4の充放電挙動
109961998/05/14LiCoO2=FB97/導電助剤に金粉70mgを使用(0.01mV/sec)
109931998/05/09純物質のみで電流を絞って充電後、炭素を加えて組み立て
109971998/05/27LiCoO2=FB97/導電剤の代わりに金粉を使用(0.1mV/s)
109841998/05/01LiCoO2=FB97/導電助剤=金粉(70mg)を使用
109721998/04/24金ディスク上にLiCoO2のみをPVDFでコート
109571998/04/23純物質(FB97)だけを低速度で掃引
109621998/04/23200V陽極酸化済ディスク電極にPVDFでKS15をコートを再度電位掃引
109611998/04/23未処理ディスク電極にPVDFでKS15をコート
109601998/04/23200V陽極酸化済ディスク電極にPVDFでKS15をコート
109591998/04/23200V陽極酸化済ディスク電極にPVDFでKS15をコート(ちょっとスクラッチ)
109581998/04/23200V陽極酸化済ディスク電極にPVDFでKS15をコート
109561998/04/10活物質のみを2μAで充電してものを2μAで放電
109551998/04/10活物質のみを2μAで充電
107061998/11/05LiCoO2とカーボンを接着
57961999/05/245V迄陽極酸化し、定電位エージング時の電位を変えたときの電流減少曲線
57821998/03/14集電体に陽極酸化皮膜を付けたときのLiClO4中挙動
57811998/08/29集電体に陽極酸化皮膜を付けたときのLiPF6中挙動
57741998/08/06微小電極をカソードへ思い切り分極
53681998/02/15 E(13+15+17+18+19)を混合
53691998/02/15E(13+15+17+18+19)を混合
53671998/03/20図2-18(p.25)標準電極をABできっちり薄く覆う
53011998/09/03アジピン酸アンモニウム水溶液中で、アルミニウムを集電体として二酸化マンガンを放電
54961998/08/21メッシュを陽極酸化したときの標準挙動
51401997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(8:2)
51391997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(7:3)
51381997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(6:4)
51371997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(1:1)
51361997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(4:6)
51351997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(3:7)
50261997/10/11電気量一定でデューティーを変えた際のクロノポテンショグラム(2:8)
51262000/01/15休止時間を変化させたときのクロノポテンショグラム
50361997/10/10オフセットを変えたときのクロノ
50211997/10/11デューティーを変化させたときのクロノポテンショグラム
50181997/10/07入力パルスのアノード電流一定条件でオフセットを可変とした際のクロノポテンショグラム
50171997/10/07入力パルスのアノード電流一定条件でオフセットを可変とした際のクロノポテンショグラム
50161997/10/07入力パルスのアノード電流一定条件でオフセットを可変とした際のクロノポテンショグラム
50151997/10/07入力パルスのアノード電流一定条件でオフセットを可変とした際のクロノポテンショグラム
50141997/10/07入力パルスのアノード電流一定条件でオフセットを可変とした際のクロノポテンショグラム
50111997/10/10オフセットを変化させたときのオーバーシュート
50101997/10/10デューティーを変化させたときのオーバーシュート
45861998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ,5%AA,36mS/cm
44781998/05/16ClO4と集電体(Al/LiMn2O4(JEC)/LiClO4) 復活を試行
37821998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 5%AA 36mS/cm
37831998/02/26電解液濃度をかsた影響 逆ランプ 0.01MAA 2.1mS/cm
37851998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.04MAA 50mS/cm
37861998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.03MAA 5.95mS/cm
37781998/02/26電解液濃度を変えた影響 逆ランプ 0.01MAA 2.1mS/cm
28421997/10/272-cでカーボンを減らしたときのCV(2-c(30mg)+AB(2mg))
8611998/05/19二酸化マンガンを使った3V級リチウム電池のテスト
9171997/06/23D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa26[0.2mA,0.0777Vs].esv
20531999/11/27電流密度を変えたときの電位上昇(横軸時間、縦軸電位)
9221997/06/23D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp49fa19[1mA,0.388Vs].esv
9231997/06/23D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp49fa18[1mA,0.395Vs].esv
9181997/06/23密度を変えて陽極酸化\cp4bfa20[0.1mA,0.0373Vs].esv
9191997/06/23D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa22[0.5mA,0.196Vs].esv
9201997/06/23D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa24[1mA,0.382Vs].esv
9211997/06/23D:\測定データ(esv形式)\@アルミニウムの陽極酸化\電流密度を変えて陽極酸化\cp4bfa23[1mA,0.380Vs].esv
7612001/04/12カーボンの種類を変えて測定
15311998/08/29アルカリマンガンセルにおける温度を変えたときの放電曲線
40461998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40451998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41181998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41141998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41131998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40421998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41111998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41121998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41101998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40441998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40431998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41091998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
41071998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
40011998/02/26高電圧流域まで電流平坦になるように前処理を最適化
40021998/02/26高電圧領域まで電流平坦となるように前処理を最適化
29821997/07/08Vt5nbx56 を追加 2 サイクル