|
|
| 説明 |
ゲート電圧でキャリア濃度を変化させ、ソース－ドレイン間のレジスタンスを制御する素子。
電界効果型トランジタとよばれる半導体素子です1)2)。ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極があり、ゲート付近の電界によってソースとドレインに流れる電流を制御します3)4)。ｎチャネル型とｐチャネル型があります。ゲートにタンタル5)などの金属酸化膜を使ったＭＯＳＦＥＴはコンピュータのＣＰＵなどデジタル回路によく使われます。有機トランジスタも研究されています6)。
【関連書籍】エレクトロニクスと電気化学7)
【物理量】ゲート電圧8)ドレイン電圧9)ドレイン電流10)レジスタンス11)
( 1) > 工場見学！モノがつくられる工程をみる松林光男、渡辺弘, イラスト図解 工場のしくみ, 日本実業出版社, ( 2004). ( 2) > よくわかる最新半導体の基本と仕組み（目次）西久保靖彦, よくわかる最新半導体の基本と仕組み, 秀和システム, ( 2003). ( 3) エレクト > 半導体デバイスと集積回路山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, ( 1990). ( 4) エネルギ > 【２００ > 第７講 工場と製造プロセス（半導体）, 【２００７年（平成１９）エネ変】立花 和宏, エネルギー変換化学特論, 講義ノート, ( 2007). ( 5) 酸化タンタル（Ⅴ）, , , = 441.893 g/mol, ( 化学種). ( 6) > 有機エレクトロニクス（目次）長谷川悦雄, 有機エレクトロニクス, 工業調査会, ( 2005). ( 7) > エレクトロニクスと電気化学山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, ( 1990). ( 8) ゲート電圧 Vg / V. ( 9) ドレイン電圧 Vd / V. ( 10) ドレイン電流 Id / A. ( 11) レジスタンス R / Ω. |
|