金属酸化皮膜半導体電界効果トランジスタです1)。ソースとドレインをチャネルでつないだ構造になっていて、チャネルの半導体の種類によってｐチャネル型とｎチャネル型があります。チャネルの丈夫に二酸化ケイ素の薄い絶縁膜をはさんでゲート電極があり、ゲートに加えいる電圧でソースとドレインのに流れる電流を制御します2)。消費電力が少ないので集積回路に使います3)4)。
【関連書籍】半導体デバイスと集積回路5)
【物理量】ゲート電圧6)ドレイン電圧7)ドレイン電流8)レジスタンス9)
( 1) エレクト > 半導体デバイスと集積回路山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, ( 1990). ( 2) エネルギ > 【２００ > 第７講 工場と製造プロセス（半導体）, 【２００７年（平成１９）エネ変】立花 和宏, エネルギー変換化学特論, 講義ノート, ( 2007). ( 3) > よくわかる最新半導体の基本と仕組み（目次）西久保靖彦, よくわかる最新半導体の基本と仕組み, 秀和システム, ( 2003). ( 4) > ディスクリート半導体、増幅や発振を行う基本要素小島昇, 電子部品図鑑, 誠文堂新光社, ( 2007). ( 5) エレクト > 半導体デバイスと集積回路山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, ( 1990). ( 6) ゲート電圧 Vg / V. ( 7) ドレイン電圧 Vd / V. ( 8) ドレイン電流 Id / A. ( 9) レジスタンス R / Ω.
|