項目	値
ID	⇒#1060@グラフ;
要約	【グラフ】図にAIBN + DMSO + O2 +　DMPO + 50℃加温のＥＳＲチャート⇒#18@プロット;を示す。ここで、横軸は磁束密度⇒#40@物理量;であり、縦軸は吸収率⇒#238@物理量;である。この図より ○○　測定条件　○○ 試料名: AIBN + DMSO + アルゴン +　DMPO 実験装置: XバンドESR装置(JEOL FR-30,日本電子株式会社)⇒#149@測定…であることがわかる⇒#1060@グラフ;。
名前	AIBN + DMSO + O2 +　DMPO + 50℃加温
試料（サンプル）	2.2’-アゾビス（イソブチロニトリル）
プロットタイプ	ＥＳＲチャート
研究者	日野　俊介
Ｘ軸	磁束密度/ミリテスラ(331.8 ～ 341.8)10
Ｙ軸	強度/（無次元）(-1105.7 ～ 1129.17)2234.87

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説明

○○　測定条件　○○ 試料名: AIBN + DMSO + アルゴン +　DMPO 実験装置: XバンドESR装置(JEOL FR-30,日本電子株式会社)1) 測定日時: 2007/01/19 共鳴周波数2); 約9.2GHz3) 温度4): 25 ℃5) 照射電力6): 4 mW7) 中心磁場8): 336.8 mT9) 磁場掃引幅10): 5 mT11) 磁場掃引時間12): 30 s13) 磁場変調強度14): 0.1 mT15) 時定数16): 0.03 s17) 増幅率（ゲイン）18): 200 - Mnマーカーダイヤル値19)20): 700 - ｇ値21): - ｇ値22): - 超微細結合定数23): mT24) 測定者: hino XバンドESR装置 ,JEOL FR-30,,(日本電子株式会社,). Mn マーカー バックグラウンド 2007/05/31調整　ＥＳＲスペクトル (2回目), グラフ. (1) XバンドESR装置 ,JEOL FR-30,,(日本電子株式会社,). (2) 共鳴周波数 ν / Hz. (3) ギガヘルツ, GHz, 周波数, (単位). (4) 温度 T / K. (5) セルシウス度, °C, 温度, (単位). (6) 照射電力 P / W. (7) ミリワット, mW, 電力, (単位). (8) 中心磁場 Ce / T. (9) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位). (10) 磁場掃引幅 x / mT. (11) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位). (12) 磁場掃引時間 Fi / s. (13) 秒, s, 時間, (単位). (14) 磁場変調強度 x / mT. (15) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位). (16) 時定数 tc / s. (17) 秒, s, 時間, (単位). (18) 増幅率 x / ・. (19) @ > マンガンマーカー （Mn2+/MgO） マンガンマーカー （Mn2+/MgO）, Mn2+ Marker, (材料). (20) Mn マーカー バックグラウンド 2007/05/31調整　ＥＳＲスペクトル (2回目), グラフ. (21) g値, (計算). (22) マンガンマーカーからg値を求める計算式, (計算). (23) 超微細結合定数 A / T. (24) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位).

数値

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