項目	値
ID	⇒#351@グラフ;
要約	【グラフ】図に0.1mM AIBN（0.2mM DMPO溶液）の光解離反応 Mnマーカー有りのＥＳＲチャート⇒#18@プロット;を示す。ここで、横軸は磁束密度⇒#40@物理量;であり、縦軸は吸収率⇒#238@物理量;である。この図より ○○　測定条件　○○ 試料名: 0.1ｍM AIBN（0.2mM DMPO溶液） DMSO 実験装置: XバンドESR装置⇒#148@測定装置; 測定日時: 2008/07/0…であることがわかる⇒#351@グラフ;。
名前	0.1mM AIBN（0.2mM DMPO溶液）の光解離反応 Mnマーカー有り
試料（サンプル）	2.2’-アゾビス（イソブチロニトリル）
研究対象	0.1mM AIBN（0.2mM DMPO溶液）の光解離反応 のESRパラメータ
プロットタイプ	ＥＳＲチャート
研究者	齋藤慎也
Ｘ軸	磁束密度/ミリテスラ(331.8 ～ 341.8)10
Ｙ軸	強度/（無次元）(-1514.3 ～ 1586.93)3101.23

…

 

説明

○○　測定条件　○○ 試料名: 0.1ｍM AIBN（0.2mM DMPO溶液） DMSO 実験装置: XバンドESR装置1) 測定日時: 2008/07/04 16:03:29 共鳴周波数2); 約9.143965GHz3) 温度4): 25 ℃5) 照射電力6): 4 mW7) 中心磁場8): 336.8 mT9) 磁場掃引幅10): 5 mT11) 磁場掃引時間12): 30 s13) 磁場変調強度14): 0.1 mT15) 時定数16): 0.0001 s17) 増幅率（ゲイン）18): 25 - Mnマーカーダイヤル値19)20): 720 - ｇ値21): - ｇ値22): - 超微細結合定数23): 1.31mT24) 測定者: 斎藤慎也 XバンドESR装置, 測定装置. Mn マーカー バックグラウンド 2007/05/31調整　ＥＳＲスペクトル (2回目), グラフ. (1) XバンドESR装置, 測定装置. (2) ν, 共鳴周波数, Resonant Frequency, ヘルツ, (物理量). (3) ギガヘルツ, GHz, 周波数, (単位). (4) T, 温度, tempreture, ケルビン, (物理量). (5) セルシウス度, ℃, 温度, (単位). (6) P, 照射電力, Power, ワット, (物理量). (7) ミリワット, mW, 電力, (単位). (8) Ce, 中心磁場, Center Field, テスラ, (物理量). (9) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位). (10) , 磁場掃引幅, , ミリテスラ, (物理量). (11) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位). (12) Fi, 磁場掃引時間, Field Sweep time, 秒, (物理量). (13) 秒, s, 時間, (単位). (14) , 磁場変調強度, , ミリテスラ, (物理量). (15) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位). (16) tc, 時定数, Time Constant, 秒, (物理量). (17) 秒, s, 時間, (単位). (18) , 増幅率, , 分率, (物理量). (19) マンガンマーカー （Mn2+/MgO）, Mn2+ Marker, (材料). (20) Mn マーカー バックグラウンド 2007/05/31調整　ＥＳＲスペクトル (2回目), グラフ. (21) g値, (計算). (22) マンガンマーカーからg値を求める計算式, (計算). (23) A, 超微細結合定数, hyperfine coupling constant , テスラ, (物理量). (24) ミリテスラ, mT, 磁束密度, (単位).

数値

2012/10/28 14:33:31 ◆0.1mM AIBN（0.2mM DMPO溶液）の光解離反応 のESRパラメータ ( A=0.00131 T ) 0.1mM AIBN（0.2mM DMPO溶液）の光解離反応 のESRパラメータ … とりあえず解析する (近傍値検索)

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