※電気化学の庵／ナレッジ／ナレッジ^ⅰ)

エネルギ > 【２０１ > セラミッ > イオン結合、イオン結合の結晶での電気の流れ方,セラミックス材料～正極活物質と導電助材の働き～
立花　和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2011).

量子化学 > センサーを作ろう～固体中の電子,量子化学基礎（２００５）
立花　和宏,基礎量子化学, 講義ノート, (2005).

ピカッと > フォトリソグラフィー,ピカッとさいえんす
立花　和宏,ピカッとさいえんす, 講義ノート, (2011).

四丁目サ > イルミネーション～半導体～,四丁目サイエンス劇場
立花　和宏,ピカッとさいえんす, 講義ノート, (2007).

(1) ガリウム砒素, Gallium arsenide, GaAs, = 144.6446 g/mol, (化学種).
(2) インジウム砒素, , InAs, = 189.7416 g/mol, (化学種).
(3) エネルギ > 【２０１ > セラミッ > イオン結合、イオン結合の結晶での電気の流れ方,セラミックス材料～正極活物質と導電助材の働き～
立花　和宏,エネルギー変換化学特論, 講義ノート, (2011).
(4) 量子化学 > センサーを作ろう～固体中の電子,量子化学基礎（２００５）
立花　和宏,基礎量子化学, 講義ノート, (2005).
(5) ピカッと > フォトリソグラフィー,ピカッとさいえんす
立花　和宏,ピカッとさいえんす, 講義ノート, (2011).
(6) 四丁目サ > イルミネーション～半導体～,四丁目サイエンス劇場
立花　和宏,ピカッとさいえんす, 講義ノート, (2007).
(7) 高分子化 > 機能性高分子
野村正勝・鈴鹿輝男, 最新工業化学―持続的社会に向けて―, 講談社サイエンティフィク, (2004).
(8)  > 原子と原子核
数研出版編集部, 視覚でとらえるフォトサイエンス物理図録, 数研出版, (2006).
(9) 電気と磁 > 非直線抵抗
中村英二、吉沢康和, 新訂物理図解, 第一学習社, (1984).
(10)  > エレクトロニクスと電気化学
山下正通、小沢昭弥, 現代の電気化学, 新星社, (1990).

(ⅰ)  データベースアメニティ研究所,Ｃ１ラボラトリー,電気化学の庵,化合物半導体,1310,(2002).

(1) , 化合物半導体, , (2025/07/10 3:12:59).

(2) 応用物理学会関西支部編, 化合物半導体 : 基礎物性とその応用, 日刊工業新聞社, (1986.1).

(3) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(4) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(5) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(6) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(7) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(8) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(9) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(10) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と評価, 工業調査会, (1986.8-).

(11) 西澤潤一編, 化合物半導体の結晶成長と完全性, 工業調査会, (1985.8).

(12) 今井哲二[ほか]編著, 化合物半導体デバイス, 工業調査会, (1985.1).

(13) 生駒俊明,生駒英明共著, 化合物半導体の基礎物性入門, 培風館, (1991.9).

(14) 生駒俊明,生駒英明共著, 化合物半導体の基礎物性入門, 培風館, (1991.9).

(15) 日本産業技術振興協会新材料技術委員会編, 化合物半導体デバイス, 工業調査会(発売), (1973.9).

(16) 応用物理学会関西支部編, 化合物半導体 : 基礎物性とその応用, 日刊工業新聞社, (1986.1).